| SET/CMOS混合器件研究 |
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| 引用本文： | 史党院,蔡理,邵一丹.SET/CMOS混合器件研究[J].微纳电子技术,2007,44(4):175-177,189. |
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| 作者姓名： | 史党院 蔡理 邵一丹 |
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| 作者单位： | 空军工程大学,理学院,西安,710051 |
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| 基金项目： | 陕西省自然科学基金;空军工程大学理学院科研项目 |
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| 摘 要： | 阐述了纳米线和纳米管电子器件的研究状况,对两种SET/CMOS基本混合器件的结构和应用以及仿真实现方法进行了论述。总结了SET/CMOS混合器件的特点。对纳米电子器件的发展进行了展望。
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| 关 键 词： | 纳米管 纳米线 单电子晶体管 金属氧化物半导体场效应晶体管 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）04-0175-03 |
| 修稿时间： | 2006-10-24 |
Research on SET/CMOS Hybrid Device |
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| SHI Dang-yuan,CAI Li,SHAO Yi-dan.Research on SET/CMOS Hybrid Device[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(4):175-177,189. |
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| Authors: | SHI Dang-yuan CAI Li SHAO Yi-dan |
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| Abstract: | The researches on NW/NT devices are reviewed.The structures,applications and simulation methods for two kinds of SET/CMOS hybrid circuits are discussed.The development of nano-electronic devices are summarized. |
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| Keywords: | NT NW single electron transistor MOSFET |
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