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| 渐变带隙结构在Ⅲ-Ⅴ族太阳电池中的应用 | |
| 作者姓名： | 彭华 周之斌 崔容强 叶庆好 庞乾骏 陈鸣波 赵亮 |
| 作者单位： | 上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;上海交通大学太阳能研究所,上海,200240;上海交通大学太阳能研究所,上海,200240 |
| 摘 要： | 在分析半导体带隙的渐变结构理论的基础上，研究了具有渐变带隙结构太阳电池的普遍规律和特点，采用AMPS软件结合相关试验参数对Ⅲ-Ⅴ族的AlxGa1－xAs类太阳电池中渐变带隙结构进行了计算模拟，并与普通电池进行了对比分析．一方面，带宽的递增或递减构成的势垒可以形成附加电场，帮助少子收集，增加少子寿命；另一方面，渐变后的带隙会影响实际光谱的吸收效率，使得总的载流子产额以及可利用部分发生变化，总结出带隙的渐变结构对载流子实际产生、收集等情况有着多方面的调制作用． |
| 关 键 词： | 太阳电池 渐变带隙 载流子产生 载流子收集 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)05-0958-07 |
| 修稿时间： | 2004-04-26 |
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