| 半绝缘InP注硅的无包封退火 |
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| 引用本文： | 乔墉,卢建国,罗潮渭,邵永富,王渭源.半绝缘InP注硅的无包封退火[J].半导体学报,1983,4(6):560-564. |
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| 作者姓名： | 乔墉 卢建国 罗潮渭 邵永富 王渭源 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所
(乔墉，卢建国，罗潮渭，邵永富)，中国科学院上海冶金研究所(王渭源) |
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| 摘 要： | 掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.
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