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复合缺陷对钛酸锶铋材料介电特性的影响
引用本文:智宇,陈昂,张绪礼,王筱珍,李标荣. 复合缺陷对钛酸锶铋材料介电特性的影响[J]. 硅酸盐学报, 1991, 0(2)
作者姓名:智宇  陈昂  张绪礼  王筱珍  李标荣
作者单位:浙江大学材料系(智宇),浙江大学物理系(陈昂),华中理工大学固体电子学系(张绪礼,王筱珍),华中理工大学固体电子学系(李标荣)
摘    要:本文研究了组份为(1-x)SrTiO_3+x(Bi_2O_3·3TiO_2)其中x=0-20mol%的介质陶瓷的介电特性,发现随着Bi_2O_3·3TiO_2含量增加,材料的介电特性变化很大,其极化机制也发生改变。在4≤x≤16mol%范围内,介质具有高介电常数、低损耗及从10~2—10~7Hz频率区域内平稳的频谱特性等优良介电性能。文章较详细研究了该区域的缺陷机构,采用正电子湮没技术证实了该区域内随铋含量增大,材料中出现了锶空位与铋替代离子耦合在一起的复合缺陷[Bi_((?)r)·V_((?)r)]′及[2Bi((?)r)·V_((?)r)](?),这些复合缺陷的存在导致了弱束缚Ti~(4+)离子形成,而弱束缚钛离子的位移极化及其弛豫特性可能提供了该区优良的介电性能。

关 键 词:介质陶瓷  复合缺陷  正电子湮没技术

INFLUENCE OF THE COMPLEX DEFECT ON DIELECTRIC PROPERTIES OF STRONTIUM TITANATE SOLID SOLUTION CONTAINING BISMUTH
Zhi Yu Chen Ang. INFLUENCE OF THE COMPLEX DEFECT ON DIELECTRIC PROPERTIES OF STRONTIUM TITANATE SOLID SOLUTION CONTAINING BISMUTH[J]. Journal of The Chinese Ceramic Society, 1991, 0(2)
Authors:Zhi Yu Chen Ang
Abstract:
Keywords:dielectric ceramic  complex-defect  PAT technique
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