| 一种高精度自偏置带隙基准源设计 |
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| 引用本文： | 严叶挺. 一种高精度自偏置带隙基准源设计[J]. 电子器件, 2009, 32(5): 889-892 |
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| 作者姓名： | 严叶挺 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018;杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018;杭州电子科技大学电子信息学院,杭州,310018 |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金资助 |
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| 摘 要： | 带隙基准源是集成电路的基本组成部分。在此对传统CMOS带隙基准源电路的分析和总结上,基于无锡上华的0.5μm混合CMOS工艺,应用电流镜共源共栅结构的屏蔽作用,并结合一级温度补偿、电流反馈技术和运放电路,设计一款高电源抑制比、低温度系数及自偏置电压带隙基准源电路。
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| 关 键 词： | 带隙基准 绝对温度 共源共栅 |
A Design of High Precise And Self-Bias Bandgap Reference Source |
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| YAN Yeting,QIN Huibin,HUANG Haiyun. A Design of High Precise And Self-Bias Bandgap Reference Source[J]. Journal of Electron Devices, 2009, 32(5): 889-892 |
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| Authors: | YAN Yeting QIN Huibin HUANG Haiyun |
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| Affiliation: | YAN Yeting,QIN Huibin,HUANG Haiyun(Institute of Electronic Information,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap PTAT cascode |
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