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荷兰设备商Mapper获欧盟350万欧元资助 开发无掩膜光刻技术
摘    要:<正>EE Times日前报道:IBM、Rohm&Haas电子材料部日前签署了一项共同开发协议,针对目前光刻技术的主要问题,为32nm及以下节点设计开发新型抗反射材料。双方计划开发全新248nm和193nm波长材料,包括底部抗反射涂层(BARC)和顶端抗发射涂层(TARC)。"我们没有开发全新光阻材料,但关注于BARC和TARC。"Rohm&Haas发言人表示,"我们也并非单纯关注于248nm,而是关注于制作193nm和248nm注入层的抗反射材料。"

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