C波段小功率同轴高次倍频器的研制

本文综合介绍了一种以文献[1]为主的同轴结构高次倍频器的工程设计方法。其中有关同轴带通滤波器中心频率的设计方法,则是引用了文献[7]有关估计开路同轴线不连续电容的曲线,作为缩短电容中边缘电容的近似值。实验证明,这种引用是可行的。采用具有正温度系数的热敏电阻,构成简单的温度补偿网络,使高次信频器能在-40℃～+70℃的温度范围内稳定、可靠地工作。