| AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器 |
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| 引用本文： | 马宏,朱光喜,易新建.AlGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器[J].半导体学报,2004,25(7):745-748. |
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| 作者姓名： | 马宏 朱光喜 易新建 |
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| 作者单位： | [1]华中科技大学电子与信息工程系，武汉430074 [2]华中科技大学光电子工程系，武汉430074 |
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| 摘 要： | 采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了 1 5 5 0 nm Al Ga In As- In P偏振无关半导体光放大器 ,有源区为 3周期的张应变量子阱结构 ,应变量为 - 0 .4 0 % .器件制作成脊型波导结构 ,并采用 7°斜腔结构以有效抑制腔面反射 .经蒸镀减反膜后 ,半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于 0 .3d B,3d B带宽为 5 6 nm.半导体光放大器小信号增益近 2 0 d B,带宽大于 5 5 nm.在 1 5 0 0～ 1 5 90 nm波长范围内偏振灵敏度小于 0 .8d B,峰值增益波长的饱和输出功率达7.2 d Bm.
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| 关 键 词： | 偏振无关 AlGaInAs-InP 光放大器 MOCVD |
1550nm Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifier Based on AlGaInAs-InP |
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| Ma Hong,Zhu Guangxi,Yi Xinjian.1550nm Polarization-Insensitive Semiconductor Optical Amplifier Based on AlGaInAs-InP[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(7):745-748. |
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| Authors: | Ma Hong Zhu Guangxi Yi Xinjian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | polarization insensitive AlGaInAs InP optical amplifier MOCVD |
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