| GaAs中子嬗变掺杂的初步研究 |
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| 引用本文： | 徐稼迟,张德宏,徐小琳,王家英,孟祥提.GaAs中子嬗变掺杂的初步研究[J].核技术,1986(3). |
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| 作者姓名： | 徐稼迟 张德宏 徐小琳 王家英 孟祥提 |
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| 作者单位： | 南京固体器件研究所
(徐稼迟，张德宏)，清华大学核能技术研究所
(徐小琳，王家英)，清华大学核能技术研究所(孟祥提) |
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| 摘 要： | 硅的中子嬗变掺杂(简称NTD)法已经得到了广泛应用,在制备大功率整流器、可控硅、硅靶摄像管、核探测器和集成电路等方面被公认是一种好方法。中子辐照硅的优点是掺杂十分均匀,浓度偏差可在±5％之内;掺杂精度高,能够准确地达到所要求的浓度。近年来,Ⅲ-V族化合物半导体的中子嬗变掺杂亦有报道。1971年Miriashvili等人首先报道了GaAs的中子嬗变掺杂。在这之后,一些作者进一步研究了热中子辐照GaAs的原理、特点和它的应用。1982年在美国马里兰举行的第四届国际NTD会议上也报道了这方面的内容。
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| 关 键 词： | GaAs 嬗变 掺杂 迁移率 补偿比 |
Preliminary research on doping of GaAs by neutron transmutation |
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| Xu Jiachi Zhang Dehong.Preliminary research on doping of GaAs by neutron transmutation[J].Nuclear Techniques,1986(3). |
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| Authors: | Xu Jiachi Zhang Dehong |
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| Affiliation: | Xu Jiachi Zhang Dehong(Nanjing Institute of Solid State Devices Research)Xu Xiaolin Wang Jiaying Meng Xiangti(INFT of Qinghua University) |
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| Abstract: | The principle, technology and characteristic of the neutron transmutation doping of GaAs are presented in this paper. The preliminary experimental result is given. |
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| Keywords: | gallium arsenide transmutation doping mobility compensation ratio |
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