Dual Gate液晶显示屏栅极制程断路缺陷的分析与改善 |
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作者姓名: | 杨迪一 孔繁林 胡兴兴 夏莹莹 黄小平 吴成业 郝静 文鑫 莫艳 |
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作者单位: | 1. 武汉京东方光电科技有限公司;2. 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
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摘 要: | 文章探究了光刻工序的水汽和ITO刻蚀工序的药液结晶对DualGate产品栅极制程的断路影响,通过DOE试验得到影响因子的最佳改善条件,使55寸DualGate产品栅极制程的断路缺陷发生率整体降低36%,为公司带来80.2万元的月度收益,能够对其他高端产品断路缺陷的改善思路、新工艺设备的设计改进,提供参考。
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关 键 词: | 双栅 断路 试验设计 |
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