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低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟
作者姓名:
黄流兴 魏同立
摘 要:
本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。
关 键 词:
双极晶体管 发射极 电流增益
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