低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅／单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应，采用有效复合速度方法，建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。