双室反应管研制多层GaAs汽相外延生长技术

本文提出了一种研制多层GaAs汽相外延的装置,概述了用双室反应管制备多层GaAs薄膜的实验方法及部分结果。本技术的特点是避免了杂质的存贮效应。针对微波器件的应用,制备了三种类型的多层外延片,用这些材料制管,最佳特性为:体效应管在56.5GHz下,输出功率144mW,效率3.84％;场效应晶体管在9.3GHz下,噪声系数2.4dB,相关增益6.5dB;崩越二极管在8.57GHz下,连续波输出功率达3W,效率20.2％。