| 颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响 |
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| 引用本文： | 孙家振,潘国顺,朱永华,戴媛静,雒建斌,李维民. 颗粒等抛光液组分对硬盘盘基片抛光的影响[J]. 润滑与密封, 2007, 32(11): 1-4,30 |
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| 作者姓名： | 孙家振 潘国顺 朱永华 戴媛静 雒建斌 李维民 |
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| 作者单位： | 清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084;清华大学摩擦学国家重点实验室,北京,100084;深圳清华大学研究院,广东深圳,518057;深圳开发磁记录有限公司,广东深圳,518035 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金委员会与广东省政府自然科学联合基金重点项目;国际科技合作计划;国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 硬盘盘基片粗抛光必须在较高材料去除率的基础上获得高表面质量。分别用合成法和粉碎法制得的α-A l2O3颗粒做了抛光实验,并分析了抛光液中氧化剂、络合剂含量和抛光液pH值对材料去除率的影响机制。结果表明:用合成法制得的颗粒抛光后基片表面凹坑严重,降低抛光液配方中氧化剂的含量,虽可使表面粗糙度(Ra)和表面波纹度(Wa)大幅降低,但材料去除率也大幅下降,该颗粒不适合基片粗抛光;用粉碎法制得的颗粒抛光后基片表面划痕密集,加入一定量的减阻剂后基片Ra和Wa大幅降低,材料去除率有所降低但仍维持在较高的水平,因此减阻剂可平衡该颗粒的材料去除率和抛光表面质量;粉碎法制得的颗粒抛光液中,随氧化剂和络合剂的增加,材料去除率均呈先升后降趋势;pH值的升高会使材料去除率下降,但酸性太强会引起过腐蚀,适宜的pH在2.0~3.0之间。
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| 关 键 词： | 硬盘基片 化学机械抛光 材料去除率 |
| 文章编号： | 0254-0150（2007）11-001-4 |
| 修稿时间： | 2007-08-21 |
Influence of Slurry Ingredients as Particle on Hard Disk Substrate Polishing |
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| Sun Jiazhen,Pan Guoshun,Zhu Yonghua,Dai Yuanjing,Luo Jianbin,Li Weimin. Influence of Slurry Ingredients as Particle on Hard Disk Substrate Polishing[J]. Lubrication Engineering, 2007, 32(11): 1-4,30 |
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| Authors: | Sun Jiazhen Pan Guoshun Zhu Yonghua Dai Yuanjing Luo Jianbin Li Weimin |
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| Affiliation: | 1.The State Key Laboratory of Tribology,Tsinghua University,Beijing 100084,China;2.Research Institute of Tsinghua University in Shenzhen,Shenzhen Guangdong 518057,China;3.Shenzhen Kaifa Magnetic Recording Co.,Ltd.,Shenzhen Guangdong 518035,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hard disk substrate chemical mechanical polishing material removal rate |
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