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| GaN和相关材料会议概况介绍 | |
| 引用本文： | 从征.GaN和相关材料会议概况介绍[J].激光与光电子学进展,1998,35(8):17. |
| 作者姓名： | 从征 |
| 摘 要： | 作为对GaN器件快速发展和商业化兴趣日益增浓的响应，1997年秋季在波士顿举行的材料研究协会GaN会议和相关材料专题讨论会的特点是首次讨论了氧化缘（GaN）二极管激光器的工业应用。日本东京日亚化学工业公司的S．Nakamura将开办一个讲习班，评述他的研究组在开创GaN激光器方面的发展，其中包括寿命超过100h的首支室温运转连续GaN激光器。继Nakamura之后三个发言人都来自非GaN界，他们将讨论GaN激光器在他们领域的市场机遇。他们也向参加讲习班的材料科学家和器件工程师阐述了这种激光器所需满足的规范。IBM公司的R．Melcher将讲述… |
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