| LDD NMOS器件热载流子退化研究 |
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| 引用本文： | 刘海波,郝跃,张进城,刘道广. LDD NMOS器件热载流子退化研究[J]. 微电子学, 2002, 32(6): 445-448 |
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| 作者姓名： | 刘海波 郝跃 张进城 刘道广 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071
2. 西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 对LDD(轻掺杂漏)NMOS器件的热载流子退化特性进行了研究,发现LDD NMOS器件的退化呈现出新的特点.通过实验与模拟分析,得出了热载流子应力下LDD NMOS退化特性不同于常规(非LDD)NMOS的物理机制.并通过模拟对此观点进行了验证.
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| 关 键 词： | 轻掺杂漏 MOS器件 热载流子退化 界面态 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)06-0445-04 |
| 修稿时间： | 2001-12-20 |
A Study on Hot Carrier Degradation in LDD NMOSFET''''s |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Lightly doped drain (LDD) MOSFET Hot carrier degradation Interface state |
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