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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GaAs MESFET大信号S参数仿真
作者姓名:
骆建军
邓先灿
作者单位:
杭州电子工业学院微电子CAE研究所,杭州电子工业学院微电子CAE研究所,杭州电子工业学院微电子CAE研究所
基金项目:
军事电子应用基础研究重点课题的经费支助
摘 要:
本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管大信号模型出发,采用谐波平衡法求出稳态解,获得了大信号S参数。所开发的软件可财时获得大小信号S参数,并在同一Smith圆图上显示出来,也可进行增益压缩等特性的分析。该软件已和参数提取,电路分析软件串成一体实现了从GaAs材料器件物理参数出发直接设计出微波单片集成电路的新思路。
关 键 词:
砷化镓
S参数
仿真
MESFET
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