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一维AIN纳米结构制备进展
引用本文:童麟,谢自力,修向前,张琦,聂超,刘斌,张荣.一维AIN纳米结构制备进展[J].微纳电子技术,2007,44(9):868-874,905.
作者姓名:童麟  谢自力  修向前  张琦  聂超  刘斌  张荣
作者单位:南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093
基金项目:国家重点基础研究发展规划(2006CB6049);国家高技术研究发展规划(2006AA03A103,2006AA03A142);国家自然科学基金(60421003,60676057);教育部重大项目(10416);高等学校博士学科点专项科研基金(20050284004);江苏省自然科学基金(BK2005210)
摘    要:采用CVD、碳纳米管模板法等方法已经制成了纳米线、纳米管等多种结构;同时研制成功多种一维纳米结构的降列。用CVD方法合成的AlN纳米线直径为几十纳米、纳米线长度可以达到几十微米;用碳纳米管模板法可以控制AlN纳米线的直径。同时,AlN纳米线也已经在场致发射的研究领域得到应用。综述了AlN一维纳米结构材料的制备方法,分析研究了AlN一维纳米结构的合成反应机理和材料特性。

关 键 词:氮化铝  一维  纳米结构
文章编号:1671-4776(2007)09-0868-07
修稿时间:2006-12-08

Progress in Preparation of 1D AIN Nano-Structures
TONG Lin, XIE Zi-li, XIU Xiang-qian, ZHANG Qi, NIE Chao, LIU Bin, ZHANG Rong.Progress in Preparation of 1D AIN Nano-Structures[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(9):868-874,905.
Authors:TONG Lin  XIE Zi-li  XIU Xiang-qian  ZHANG Qi  NIE Chao  LIU Bin  ZHANG Rong
Affiliation:Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China
Abstract:
Keywords:
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