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| 半导体器件热特性的电学法测量与分析 | |
| 引用本文： | 冯士维,谢雪松,吕长志,张小玲,何焱,沈光地.半导体器件热特性的电学法测量与分析[J].半导体学报,1999,20(5):358-364. |
| 作者姓名： | 冯士维 谢雪松 吕长志 张小玲 何焱 沈光地 |
| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系 |
| 摘 要： | 利用电学法测量器件的温升、热阻及进行瞬态热响应分析是器件热特性分析的有力工具．本文利用电学法测量了ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ在等功率下，加热响应曲线随电压的变化，并通过红外热像仪测量其温度分布，结果表明电学法测得的平均温度与温度分布有很大关系．理论计算也表明了这一点．在等功率条件下，电学平均温度随着温度分布趋于均匀而减少．该方法可用来判断器件的热不均匀性． |
| 关 键 词： | 半导体器件 热特性 电学法 测量 |
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