进电材料及压力对半导体放电加工接触电阻的影响

为了减小半导体放电加工中的接触电阻,首先采用具有不同功函数的材料对P型硅进电,进行伏安特性测试,得出当进电材料的功函数与半导体材料功函数相近时接触电阻比较小;其次对在不同接触压力下的P型硅进行了伏安特性测试,结论表明压力越大进电材料与半导体之间的平均间隙越小进而接触电阻越小;再次利用电火花线切割(WEDM)对P型硅加工对上述结论进行了实验验证。最后提出了两项有利于减小半导体接触电阻的工艺措施,以便更好地指导半导体材料的放电加工。