| IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀 |
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| 引用本文： | 田茂坤,董晓楠,黄中浩,王骏,王思江,赵永亮,闵泰烨,袁剑峰,孙耒来,谌伟,王恺,吴旭.IGZO-TFT钝化层三元复合结构过孔刻蚀[J].液晶与显示,2019(6):564-569. |
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| 作者姓名： | 田茂坤 董晓楠 黄中浩 王骏 王思江 赵永亮 闵泰烨 袁剑峰 孙耒来 谌伟 王恺 吴旭 |
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| 作者单位： | 重庆京东方光电科技有限公司 |
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| 摘 要： | IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构,出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体,采用控制变量法,从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2或SiNx单组分时,氧气可以促进刻蚀反应;随着CF4/O2比例增加,刻蚀速率先增大后趋于稳定,并且当CF4/O2=15/8时,刻蚀速率和均一性达到最优;与源功率相比,提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用,同时均一性控制在15%以内;当压力在4Pa以内时,刻蚀速率随着压力的降低而增加。据此分析,对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2/SiNx的刻蚀过程进行优化,得到了形貌规整、无残留物的过孔,过孔相关不良得到100%改善。
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| 关 键 词： | 氧化物TFT 三元复合结构 钝化层 过孔刻蚀 |
Ternary composites of passivation layer for hole plasma etching of IGZO-TFT |
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| TIAN Mao-kun,DONG Xiao-nan,HUANG Zhong-hao,WANG Jun,WANG Si-jiang,ZHAO Yong-liang,MIN Tai-ye,YUAN Jian-feng,SUN Lei-lai,CHEN Wei,WANG Kai,WU Xu.Ternary composites of passivation layer for hole plasma etching of IGZO-TFT[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2019(6):564-569. |
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| Authors: | TIAN Mao-kun DONG Xiao-nan HUANG Zhong-hao WANG Jun WANG Si-jiang ZHAO Yong-liang MIN Tai-ye YUAN Jian-feng SUN Lei-lai CHEN Wei WANG Kai WU Xu |
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| Affiliation: | (Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co.,LTD,Chongqing 400700,China) |
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| Abstract: | TIAN Mao-kun;DONG Xiao-nan;HUANG Zhong-hao;WANG Jun;WANG Si-jiang;ZHAO Yong-liang;MIN Tai-ye;YUAN Jian-feng;SUN Lei-lai;CHEN Wei;WANG Kai;WU Xu(Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co.,LTD,Chongqing 400700,China) |
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| Keywords: | IGZO-TFT ternary composites passivation hole etching |
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