| 背板掺杂与窗口位置对SELBOX器件调控研究 |
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| 引用本文： | 黄琴,刘人华,孙亚宾,李小进,石艳玲,王昌峰,廖端泉,田明.背板掺杂与窗口位置对SELBOX器件调控研究[J].微电子学,2019,49(6):862-867. |
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| 作者姓名： | 黄琴 刘人华 孙亚宾 李小进 石艳玲 王昌峰 廖端泉 田明 |
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| 作者单位： | 华东师范大学 信息科学技术学院 电子工程系, 上海 200241;上海华力微电子有限公司, 上海 201203 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003)；国家自然科学基金资助项目(61574056,61704056)；上海扬帆计划资助项目(YF1404700)；上海市科学技术委员会资助项目(14DZ2260800) |
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| 摘 要： | 介绍了一种采用HK-first MG-last FDSOI工艺制作的选择性埋氧(SELBOX)器件。利用TCAD,对不同背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的SELBOX器件进行直流仿真分析,再与FDSOI器件的直流参数进行比对,得到SELBOX器件的直流性能对背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的依赖关系。进一步分析SELBOX器件的下表面电势分布,发现背板掺杂类型和埋氧层窗口位置对器件直流性能的物理调控机制。仿真结果表明,背板掺杂类型决定SELBOX器件的直流性能能否得到增强,埋氧层窗口位置与漏端的距离决定器件直流性能增强的程度。
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| 关 键 词： | FDSOI 埋氧层窗口位置 背板掺杂 物理机制 |
| 收稿时间： | 2019/1/3 0:00:00 |
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