| a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响 |
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| 引用本文： | 田茂坤,黄中浩,谌伟,王恺,王思江,王瑞,董晓楠,赵永亮,闵泰烨,袁剑峰,孙耒来. a-Si剩余膜厚对TFT特性的影响[J]. 液晶与显示, 2019, 0(7): 646-651 |
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| 作者姓名： | 田茂坤 黄中浩 谌伟 王恺 王思江 王瑞 董晓楠 赵永亮 闵泰烨 袁剑峰 孙耒来 |
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| 作者单位： | 重庆京东方光电科技有限公司 |
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| 摘 要： | 本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下,研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响.通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si剩余厚度,找出电学特性稳定区域以及突变的临界点.实验结果表明:在黑暗(Dark)环境下a-Si剩余厚度在30%~48%之间时,TFT器件的电学特性比较稳定,波动较小;而剩余厚度少于30%时,TFT特性变差,工作电流变小,开启电压变大,电子迁移率变小;在光照环境下主要考虑漏电流的影响,在a-Si剩余厚度43%以内时,光照Ioff相对较低(小于Spec20pA),同时变化趋势较缓;而剩余厚度大于43%时,光照Ioff增加25%,同时变化趋势陡峭.综合黑暗和光照测试环境,在其他条件不变的情况下,a-Si剩余厚度在30%~43%之间时TFT的电学特性较好,同时相对稳定.
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| 关 键 词： | a-Si剩余量 电学特性 工作电流 漏电流 |
Effect of thickness of a-Si remain on TFT characteristics |
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| TIAN Mao-kun,HUANG Zhong-hao,CHEN Wei,WANG Kai,WANG Si-jiang,WANG Rui,DONG Xiao-nan,ZHAO Yong-liang,MIN Tai-ye,YUAN Jian-feng,SUN Lei-lai. Effect of thickness of a-Si remain on TFT characteristics[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2019, 0(7): 646-651 |
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| Authors: | TIAN Mao-kun HUANG Zhong-hao CHEN Wei WANG Kai WANG Si-jiang WANG Rui DONG Xiao-nan ZHAO Yong-liang MIN Tai-ye YUAN Jian-feng SUN Lei-lai |
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| Affiliation: | (Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co.,LTD.,Chongqing 400700,China) |
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| Abstract: | TIAN Mao-kun;HUANG Zhong-hao;CHEN Wei;WANG Kai;WANG Si-jiang;WANG Rui;DONG Xiao-nan;ZHAO Yong-liang;MIN Tai-ye;YUAN Jian-feng;SUN Lei-lai(Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co.,LTD.,Chongqing 400700,China) |
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| Keywords: | a-Si remain electrical characteristics I on I off |
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