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| GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜 | |
| 引用本文： | 秦福文,顾彪,徐茵,杨大智.GaN缓冲层上低温生长AlN单晶薄膜[J].半导体光电,2003,24(1). |
| 作者姓名： | 秦福文 顾彪 徐茵 杨大智 |
| 摘 要： | 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在α-Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测量样品,研究了AlN缓冲层和氮化镓(GaN)对六方AlN外延层质量的影响,实验表明在GaN缓冲层上能够低温生长出C轴取向的AlN单晶薄膜. |
| 关 键 词： | AlN GaN 氢等离子体清洗 氮化 |
Study on AlN Film Grown on GaN Buffer Layer at Low Temperature |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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