| 基于InP DHBT工艺的33～170 GHz共源共栅放大器（英文） |
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| 引用本文： | 王伯武,于伟华,侯彦飞,余芹,孙岩,程伟,周明. 基于InP DHBT工艺的33～170 GHz共源共栅放大器（英文）[J]. 红外与毫米波学报, 2023, 42(2): 197-200 |
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| 作者姓名： | 王伯武 于伟华 侯彦飞 余芹 孙岩 程伟 周明 |
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| 作者单位： | 北京理工大学 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081,北京理工大学 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081;北京理工大学 重庆微电子研究院，重庆 400031,北京无线电测量研究所，北京 100039,北京理工大学 毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室，北京 100081,南京电子器件研究所 单片集成电路与模块实验室，江苏 南京 210016,南京电子器件研究所 单片集成电路与模块实验室，江苏 南京 210016,南京电子器件研究所 单片集成电路与模块实验室，江苏 南京 210016 |
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| 基金项目： | Supported by National Natural Science Foundation of China（61771057） |
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| 摘 要： | 基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管（InP DHBT）工艺，设计了一种工作在33～170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用，输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明，该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB，相对带宽为134.98%，增益平坦度为±2 dB，工作频段内增益均好于10 dB，输出功率均好于1 dBm。
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| 关 键 词： | 磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT) 单片微波集成电路(MMIC) 共源共栅放大器 宽带 |
| 收稿时间： | 2022-07-01 |
| 修稿时间： | 2023-03-10 |
A 33~170 GHz cascode amplifier based on InP DHBT technology |
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| WANG Bo-Wu,YU Wei-Hu,HOU Yan-Fei,YU Qin,SUN Yan,CHENG Wei and ZHOU Ming. A 33~170 GHz cascode amplifier based on InP DHBT technology[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2023, 42(2): 197-200 |
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| Authors: | WANG Bo-Wu YU Wei-Hu HOU Yan-Fei YU Qin SUN Yan CHENG Wei ZHOU Ming |
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