| MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究 |
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| 引用本文： | 张磊, 杨瑞霞, 武一宾, 商耀辉, 高金环,. MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究[J]. 电子器件, 2007, 30(4): 1184-1187 |
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| 作者姓名： | 张磊 杨瑞霞 武一宾 商耀辉 高金环 |
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| 作者单位： | 天津铁道职业技术学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.015 6%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2.
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| 关 键 词： | RTD X射线双晶衍射 MBE 回摆曲线 |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1184-04 |
| 修稿时间： | 2006-09-21 |
Study on RTD Structure Grown by MBE with X-Ray Double Crystal Diffraction |
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| ZHANG Lei,YANG Rui-Xi,WU Yi-bin,SHANG Yao-hui,GAO Jin-huan,NIU Chen-liang. Study on RTD Structure Grown by MBE with X-Ray Double Crystal Diffraction[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(4): 1184-1187 |
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| Authors: | ZHANG Lei YANG Rui-Xi WU Yi-bin SHANG Yao-hui GAO Jin-huan NIU Chen-liang |
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| Affiliation: | 1. Department of Electric Communication Tianjin Railway Technical and Vacation College, Tianjin 300130, China; 2. The 13th Research Institute ,CETE, Shijiazhuang 050051, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RTD X-ray double crystal diffraction MBE rocking curve |
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