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| 平面型电力半导体器件击穿电压的优化设计 | |
| 引用本文： | 王彩琳,聂代祚.平面型电力半导体器件击穿电压的优化设计[J].半导体技术,1997(6):40-44. |
| 作者姓名： | 王彩琳 聂代祚 |
| 作者单位： | 西安电力电子技术研究所(王彩琳)，西安理工大学(聂代祚) |
| 摘 要： | 通过对平面型电力半导体器件场限环终端击穿电压的分析，指出了传统设计方法的缺点，提出了一种新的优化设计方法，使器件的体内击穿电压和终端击穿电压达成匹配，从而提高了器件耐压的稳定性和可靠性。 |
| 关 键 词： | 平面型 电力半导体器件 击穿电压 |
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