| 一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计 |
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| 引用本文： | 李彪, 雷天民,. 一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计[J]. 电子器件, 2007, 30(1): 112-115 |
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| 作者姓名： | 李彪 雷天民 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048;西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
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| 摘 要： | 文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35 μm BiCMOS工艺,采用Brokaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到 85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2.5 V±0.002 V的带隙基准电压源电路.±20%的电源电压变化情况下,输出电压变化为2.2 mV,电源电压抑制比为60 dB.5 V电源电压下功耗为1.19 mW.具有良好的电源抑制能力.
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| 关 键 词： | 模拟集成电路 带隙基准电压源 Brokaw参考电压源 温度补偿 BiCMOS |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）01-0112-04 |
| 修稿时间： | 2006-05-24 |
Design of a BiCMOS Bandgap Voltage Reference with Low Drift Temperature |
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| LI Biao,LEI Tian-min. Design of a BiCMOS Bandgap Voltage Reference with Low Drift Temperature[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(1): 112-115 |
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| Authors: | LI Biao LEI Tian-min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | analog integrated circuit bandgap voltage reference Brokaw voltage reference temperature compensation BiCMOS |
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