| 透明导电GZO薄膜电学和光学性能的研究进展 |
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| 引用本文： | 王丽,方亮,吴芳,谌夏,阮海波.透明导电GZO薄膜电学和光学性能的研究进展[J].半导体技术,2012,37(7):522-527,543. |
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| 作者姓名： | 王丽 方亮 吴芳 谌夏 阮海波 |
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| 作者单位： | 乐山职业技术学院,四川乐山614000;重庆大学应用物理系,重庆400044;重庆大学应用物理系,重庆,400044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11074314,50942021);四川省科技厅院级合作项目(10ZC1914);四川省科技厅重大技术支撑项目(10ZC1893);重庆大学研究生创新基金(CDJXS11102210);重庆大学大型设备开放基金(2011121556) |
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| 摘 要： | ZnO因其价格便宜、无毒等优点,最有希望替代昂贵的掺锡氧化铟ITO,但未掺杂ZnO是高阻材料,如何提高其光电性能,制备出高质量的ZnO薄膜是实现其应用的关键。其中,Ga掺杂是提高ZnO性能的一种有效手段。从制备方法、掺杂浓度、生长条件等方面综述了Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜光电性能的研究进展,归纳总结后发现:适当增加掺杂量、提高衬底温度等都有利于薄膜光学和电学性能的提高。目前,GZO薄膜电阻率最低可达10-3～10-4Ω.cm,透光率一般可达80%以上,光电性能可以满足透明导电膜的要求,但其性能的稳定性还不如广泛使用的ITO。因此,GZO薄膜要达到实际应用要求,尚需进一步优化工艺,提高其性能的稳定性。
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| 关 键 词： | 宽禁带半导体材料 GZO薄膜 光学性质 电学性质 掺杂浓度 |
Research Advances of Electrical and Optical Properties of Transparent Conductive Oxide GZO Films |
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| Wang Li,Fang Liang,Wu Fang,Chen Xia,Ruan Haibo.Research Advances of Electrical and Optical Properties of Transparent Conductive Oxide GZO Films[J].Semiconductor Technology,2012,37(7):522-527,543. |
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| Authors: | Wang Li Fang Liang Wu Fang Chen Xia Ruan Haibo |
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| Affiliation: | 1.Leshan Vocational & Technical College,Leshan 614000,China; 2.Department of Applied Physics,Chongqing University,Chongqing 400044,China) |
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