| 铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响 |
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| 引用本文： | 尹康达,王胜利,刘玉岭,王辰伟,岳红维,郑伟艳. 铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响[J]. 半导体技术, 2012, 37(10): 768-771 |
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| 作者姓名： | 尹康达 王胜利 刘玉岭 王辰伟 岳红维 郑伟艳 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项(2009ZX02308) |
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| 摘 要： | 随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化(CMP)过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反应物及产物的质量传递不均匀,会导致去除速率分布不均匀。通过分析抛光速率分布随环境温度的变化规律,来研究晶圆表面温度与质量传递之间的关系,给出了调整CMP均匀性的方法。研究结果表明,环境温度为24℃,工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2),背压为93 mdaN/cm2时,片内非均匀性为3.28%,抛光速率为709.8 nm/min,满足工业应用要求。
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| 关 键 词： | 温度 质量传递 均匀性 铜化学机械平坦化 去除速率分布 |
Impact of the Temperature and Mass Transfer on the Removal Rate Uniformity in Copper CMP Process |
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| Yin Kangda,Wang Shengli,Liu Yuling,Wang Chenwei,Yue Hongwei,Zheng Weiyan. Impact of the Temperature and Mass Transfer on the Removal Rate Uniformity in Copper CMP Process[J]. Semiconductor Technology, 2012, 37(10): 768-771 |
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| Authors: | Yin Kangda Wang Shengli Liu Yuling Wang Chenwei Yue Hongwei Zheng Weiyan |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronics,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China) |
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| Abstract: | |
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