| N等离子体基注渗方法研究 |
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| 引用本文： | 孙跃,董学军,夏立芳. N等离子体基注渗方法研究[J]. 真空, 2003, 0(3): 33-37 |
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| 作者姓名： | 孙跃 董学军 夏立芳 |
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| 作者单位： | 1. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001
2. 沈阳真空技术研究所,辽宁,沈阳,110042 |
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| 摘 要： | 等离子体基注渗技术在材料表面改性中具有极为重要的应用，本文报道了一种实现恒温条件的N等离子体基注渗的工艺方法，利用该方法可以根据工艺研究需要，实现注渗剂量、注渗能量(加速电压)和注渗温度单一参数调节，为等离子体体基注渗工艺的优化提供了一种切实可行的研究方法。利用本文提出的工艺方法，对纯铁进行了各种温度下的N离子注渗。结果表明，处理过程中，可依据工艺设计，单参数大范围改变注渗电压或注渗恒温温度，温度波动很小，离子注入层厚度得到明显提高。
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| 关 键 词： | 等离子体基注渗技术 工艺 氮离子 离子注入 微观组织 表面改性 金属材料 |
| 文章编号： | 1002-0322(2003)03-0033-05 |
| 修稿时间： | 2002-11-26 |
N ion implantation using method of plasma base ion implantation at elevated temperature |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation at elevated temperature plasma technology microstructure |
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