| 高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制 |
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| 引用本文： | 刘培东,姜益群,黄笑容,沈益军,李立本,阙端麟. 高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制[J]. 半导体学报, 2005, 26(5): 910-916 |
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| 作者姓名： | 刘培东 姜益群 黄笑容 沈益军 李立本 阙端麟 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙大海纳科技股份有限公司,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙大海纳科技股份有限公司,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙大海纳科技股份有限公司,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙大海纳科技股份有限公司,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙大海纳科技股份有限公司,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙大海纳科技股份有限公司,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀．实验表明：高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀，一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀，碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大，红外光谱上1230cm－1处无氧沉淀的特征峰，TEM观察这种氧沉淀是10～30nm高密度的球状小沉淀；另一种氧沉淀类似于低碳样品中均匀成核长大的氧沉淀，它在红外光谱上1230cm－1处有吸收峰，TEM观察这种氧沉淀是100～300nm各种形态的大沉淀．热处理条件不同可以改变两种机制相互竞争的优势，低于900℃的热处理以异质成核为主，而只有经过1200℃高温预处理破坏异质核心后，再在900℃以上热处理时，均匀成核长大的氧沉淀才会占优势．
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| 关 键 词： | 氧沉淀 碳氧复合物 直拉硅 硅中氧 硅中碳 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)05-0910-07 |
| 修稿时间： | 2004-08-02 |
Two Kinds of Nucleation Mechanisms for Oxygen Precipitation in CZ Silicon with High Carbon Concentration |
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| Liu Peidong,Jiang Yiqun,Huang Xiaorong,Shen Yijun,Li Liben,Que Duanlin. Two Kinds of Nucleation Mechanisms for Oxygen Precipitation in CZ Silicon with High Carbon Concentration[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(5): 910-916 |
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| Authors: | Liu Peidong Jiang Yiqun Huang Xiaorong Shen Yijun Li Liben Que Duanlin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | oxygen precipitation carbon-oxygen complexes Czochralski silicon oxygen in silicon carbon in silicon |
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