| 工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响 |
| |
| 引用本文： | 费瑾文,汤庭鳌.工艺条件对PZT薄膜界面层电容的影响[J].半导体技术,2008,33(10). |
| |
| 作者姓名： | 费瑾文 汤庭鳌 |
| |
| 作者单位： | 复旦大学,微电子学系ASIC和系统实验室,上海200433;复旦大学,微电子学系ASIC和系统实验室,上海200433 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，上海浦江项目，上海市登山计划项目 |
| |
| 摘 要： | 采用了一种新的界面层电容计算方法来提取PZT薄膜与电极之间的界面层电容,使用这种方法对不同工艺条件下制备的PZT薄膜界面层电容进行了比较.通过实验发现,不同的Pt溅射温度和PZT薄膜的退火温度都会对PZT薄膜与电极之间的界面层产生影响.高温溅射Pt会破坏Pt衬底中的TiO2结构,并导致PZT薄膜与电极之间的界面层特性变差;PZT薄膜600℃退火得到的薄膜表面均匀致密,界面层电容值最大.通过不同工艺条件下PZT薄膜界面层电容的提取比较,获得了调整PZT薄膜工艺条件的优化参数.
|
| 关 键 词： | PZT薄膜 界面层 铂溅射温度 二氧化钛 退火温度 |
Influence of Process on Interfacial Capacitance of PZT Thin Films |
| |
| Fei Jinwen,Tang Ting'ao.Influence of Process on Interfacial Capacitance of PZT Thin Films[J].Semiconductor Technology,2008,33(10). |
| |
| Authors: | Fei Jinwen Tang Ting'ao |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | PZT thin films interfacial layer Pt sputtering temperature TiO2 annealing temperature |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
