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| 渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜及其在台面型硅器件上的钝化应用 | |
| 作者姓名： | 马瑾 宋学文 陆大荣 |
| 作者单位： | 山东大学物理系(马瑾，宋学文)，青岛大学物理系(陆大荣) |
| 摘 要： | 本文报道了一种新型的非晶钝化膜——渐变组分a-Si:H/a-SiC:H膜在功率器件表面上的钝化应用,研究了该渐变膜的性质和钝化机理.实验结果表明:采用此膜对台面型晶体管进行二次钝化,可使击穿电压显著提高,反向漏电流降低一个量级,抗沾污能力增强;经该膜直接钝化的3CT100A可控硅,击穿电压可达1500伏. |
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