| HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制 |
| |
| 引用本文： | 李欣,王淑芬,毛京湘,赵晋云.HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 李欣 王淑芬 毛京湘 赵晋云 |
| |
| 摘 要： | P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.
|
| 关 键 词： | 暗电流 碲镉汞 光伏探测器 实验分析 模拟计算 |
Dark current characteristics of HgCdTe photovoltaic detectors with annular aperture P-n junction |
| |
| LI Xin,WANG Shu-fen,MAO Jing-xiang,ZHAO Jin-yun.Dark current characteristics of HgCdTe photovoltaic detectors with annular aperture P-n junction[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(Z1). |
| |
| Authors: | LI Xin WANG Shu-fen MAO Jing-xiang ZHAO Jin-yun |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
