| HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制 |
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| 引用本文： | 李欣,王淑芬,毛京湘,赵晋云. HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(Z1) |
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| 作者姓名： | 李欣 王淑芬 毛京湘 赵晋云 |
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| 摘 要： | P-n结I-V特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热噪声,决定了探测器的性能.实验主要对离子刻蚀环孔P-n结HgCdTe长波光伏探测器进行变温,I-V特性测试分析.通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电流,得到一些相关的材料和器件性能参数.希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进工艺及提高器件性能提供理论依据.
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| 关 键 词： | 暗电流 碲镉汞 光伏探测器 实验分析 模拟计算 |
Dark current characteristics of HgCdTe photovoltaic detectors with annular aperture P-n junction |
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| LI Xin,WANG Shu-fen,MAO Jing-xiang,ZHAO Jin-yun. Dark current characteristics of HgCdTe photovoltaic detectors with annular aperture P-n junction[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(Z1) |
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| Authors: | LI Xin WANG Shu-fen MAO Jing-xiang ZHAO Jin-yun |
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