| 金刚石高成核选择比图形化技术 |
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| 引用本文： | 王效东 毛敏耀. 金刚石高成核选择比图形化技术[J]. 微细加工技术, 1998, 0(4): 58-64 |
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| 作者姓名： | 王效东 毛敏耀 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室 |
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| 摘 要： | 报道了一种新的金刚石薄膜选择生长图形化技术。首先用直流偏压增强的微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）对图形区域（Ｓｉ）高密度金刚石成核，接着对掩模区域（ＳｉＯ２）进行一次化学浅腐蚀，然后正常生长金刚石薄膜，得到表面光滑、侧壁陡直的金刚石精细图形。用该技术制作了金刚石微马达结构，其厚度为２μｍ，转子直径１５０μｍ。图形间隙可控制至１－２μｍ。
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| 关 键 词： | 金刚石薄膜；图形化；高成核选择比，MPCVD |
A TECHNOLOGY FOR PATTERNING DIAMOND BY HIGH NUCLEATION SELECTIVITY |
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| Wang Xiaodong Mao Minyao Wang Weiyuan. A TECHNOLOGY FOR PATTERNING DIAMOND BY HIGH NUCLEATION SELECTIVITY[J]. Microfabrication Technology, 1998, 0(4): 58-64 |
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| Authors: | Wang Xiaodong Mao Minyao Wang Weiyuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Diamond film Patterning technology High Nucleation Selectivity Bias enhanced MPCVD |
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