等离子刻蚀制造硅场发射阵列 |
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引用本文: | 范忠,李琼.等离子刻蚀制造硅场发射阵列[J].微细加工技术,1998(1):27-32. |
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作者姓名: | 范忠 李琼 |
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作者单位: | 华东师范大学电子科学技术系 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,中科院上海冶金所功能材料实验室资助 |
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摘 要: | 本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列(FieldEmitterArrary-FEA)的方法。首先利用等离子刻蚀(PlasmaEtching-PE)的各向同性在由SiO2掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥,然后再利用反应离子刻蚀(ReactiveIonEtching-RIE)的各向异性,在PE的基础上进一步刻蚀来拔高尖锥并减少尖锥顶部的面积,以得到理想形状的FEA尖锥。这种方法比RIE一步刻蚀法和湿法刻蚀加RIE二步法简单可靠。
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关 键 词: | 等离子刻蚀,反应离子刻蚀,场发射阵列,硅尖锥 |
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