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光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作
引用本文:孙自敏,刘理天.光刻胶灰化工艺与深亚微米线条的制作[J].微细加工技术,1998(2):31-36.
作者姓名:孙自敏  刘理天
作者单位:清华大学微电子所
摘    要:随着器件尺寸的缩小,细线条的制作成为很关键的工艺,普通光学光刻已接近其分辨率的极限,而电子束光刻和X射线光刻技术复杂、费用昂贵。本文对光刻胶灰化工艺进行了分析和研究,并应用此工艺进行了深亚微米线条的制作,在普通光学光刻机上制作出宽度小于0.25μm细线条。我们已将此工艺成功地应用在深亚微米MOSFET的制作中。

关 键 词:光刻  光刻胶灰化工艺  深亚微米线条

PHOTORESIST ASHING PROCESS AND FABRICATION OF DEEP SUBMICROMETER LINES
Sun Zimin,Liu Litian,Li Zhijian.PHOTORESIST ASHING PROCESS AND FABRICATION OF DEEP SUBMICROMETER LINES[J].Microfabrication Technology,1998(2):31-36.
Authors:Sun Zimin  Liu Litian  Li Zhijian
Abstract:
Keywords:lithography  photoresist  ashing process  deep  submicrometer line  
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
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