| 不同剂量BF^＋2注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析 |
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| 引用本文： | 张廷庆,刘家璐,李建军,孙永明,赵元富. 不同剂量BF^＋2注入多晶硅栅氟迁移特性的二次离子质谱分析[J]. 微细加工技术, 1998, 0(4): 43-46 |
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| 作者姓名： | 张廷庆 刘家璐 李建军 孙永明 赵元富 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所，骊山微电子研究所 |
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| 摘 要： | 借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了８０ＫｅＶ，２．５×１０１４、５×１０１４、１×１０１５、２×１０１５和３×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在９００℃、３０ｍｉｎ热退火条件下，氟在多晶硅栅中的分布剖面，并对氟在多晶硅和二氧化硅中的迁移特性进行了深入讨论。
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| 关 键 词： | 离子注入；二氟化硼；迁移特性；二次离子质谱分析 |
SIMS ANALYSIS OF MIGRATION CHARACTERISTICS OF FLUORINE IN BF 2 IMPLANTED POLY Si GATE WITH DIFFERENT IMPLANTATION DOSES |
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| Zhang Tingqing Liu Jialu Li Jianjun. SIMS ANALYSIS OF MIGRATION CHARACTERISTICS OF FLUORINE IN BF 2 IMPLANTED POLY Si GATE WITH DIFFERENT IMPLANTATION DOSES[J]. Microfabrication Technology, 1998, 0(4): 43-46 |
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| Authors: | Zhang Tingqing Liu Jialu Li Jianjun |
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| Keywords: | Ion Implantation BF 2 Migration Characteristics SIMS |
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