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| 用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度 | |
| 引用本文： | 褚幼令,王宗欣,吴天福.用微波光电导谱仪测量p—n结少子扩散长度[J].半导体学报,1993,14(12):754-759. |
| 作者姓名： | 褚幼令 王宗欣 吴天福 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系，复旦大学电子工程系，复旦大学电子工程系 上海 200433，上海 200433，上海 200433 |
| 摘 要： | 用微波光电导谱仪测量了一些pn结样品的微波光电导谱(MPCS),对于每一块样品光分别从p面和n面入射,因而可以测得不同的谱;讨论了从pn结的MPCS中计算p区、n区少子扩散长度的方法,并用计算机拟合得到这些样品的p区、n区少子扩散长度和表面复合速度等参数;由于是无接触测试,因此本方法可作为某些pn结器件制造工艺过程中寻找最佳工艺条件的一种监测手段。 |
| 关 键 词： | 光电导谱仪 p－n结 测量 少子扩散 |
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