| InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响 |
| |
| 引用本文： | 熊德平,任爱光,王琦,黄辉,黄永清,任晓敏. InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响[J]. 功能材料与器件学报, 2007, 13(1): 23-28 |
| |
| 作者姓名： | 熊德平 任爱光 王琦 黄辉 黄永清 任晓敏 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京邮电大学光通信中心,北京,100876
2. 北京邮电大学继续教育学院,北京,100876 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 采用两步生长法用金属有机物气相外延技术在GaAs（100）衬底生长InP，用原子力显微镜探索了退火和未退火的低温缓冲层以及InP外延层的表面形貌，测量了他们的表面均方根值，讨论了低温缓冲层表面形貌随生长温度的变化以及退火对其表面形貌的影响，并分析外延层与低温缓）中层表面形貌的依赖关系，外延层表面形貌均方根值与XRD测量值一致，在450℃生长低温缓）中层，外延层有最好的表面形貌。
|
| 关 键 词： | 退火 原子力显微镜 均方根 低温缓冲层 |
| 文章编号： | 1007-4252(2007)01-0023-06 |
| 修稿时间： | 2006-03-02 |
Morphology of low temperature buffer layers and its influence on InP epilayer growth |
| |
| XIONG De-ping,REN Ai-guang,WANG Qi,HUANG Hui,HUANG Yong-qing,REN Xiao-min. Morphology of low temperature buffer layers and its influence on InP epilayer growth[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2007, 13(1): 23-28 |
| |
| Authors: | XIONG De-ping REN Ai-guang WANG Qi HUANG Hui HUANG Yong-qing REN Xiao-min |
| |
| Abstract: | Two -step method was adopted to grow InP on GaAs (100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition ( MOCVD), morphology of low - temperature buffer ( LTB ) layers and epilayers were analyzed by atomic force microscopy (AFM). The morphology of epitaxial layers inherites that of LTB layers, heat - treatment processes make buffer layers rougher, their root - mean - square (RMS) has the smallest value when LTB growth temperature is 450 ℃, it is consistent with the result of X - ray diffraction measurements. Compared with LTB layers,two dimensional (2D) growth is successfully realized in epilayers. |
| |
| Keywords: | low temperature buffer(LTB) atomic force microscopy(AFM) root-mean-square(RMS) |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
