| 一种低相位噪声2N分频器的设计 |
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| 引用本文： | 徐佳丽,何峥嵘.一种低相位噪声2N分频器的设计[J].微电子学,2006,36(3):370-372,376. |
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| 作者姓名： | 徐佳丽 何峥嵘 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 介绍了一种低相位噪声2N分频器的设计。该电路采用0.35μm BiCMOS SiGe工艺制作。1 kHz频偏下的相位噪声为-150 dBc/Hz,大大低于传统的分频器;在-55~125℃温度范围内,电路的工作频带为20 MHz~2.4 GHz,功耗电流约40 mA。数据输入端S0、S1、S2控制电路的分频比在21~28间变化,数据输入端与TTL/CMOS电平兼容。
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| 关 键 词： | 低相位噪声 分频器 BiCMOS SiGe |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）03-0370-03 |
| 收稿时间： | 2005-12-08 |
| 修稿时间： | 2005-12-082006-03-31 |
Design of a Very Low Phase Noise 2N Frequency Divider |
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| XU Jia-li,HE Zheng-rong.Design of a Very Low Phase Noise 2N Frequency Divider[J].Microelectronics,2006,36(3):370-372,376. |
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| Authors: | XU Jia-li HE Zheng-rong |
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| Affiliation: | Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp. , Chongqing 400060, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Low phase noise Frequency divider BiCMOS SiGe |
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