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| n型HgCdTe载流子双极迁移率测量 | |
| 引用本文： | 邵式平,肖绍泽.n型HgCdTe载流子双极迁移率测量[J].红外技术,1995,17(5):15-18,14. |
| 作者姓名： | 邵式平 肖绍泽 |
| 作者单位： | 昆明物理研究所 |
| 摘 要： | 介绍了两种测量半导体材料载流子双极迁移率的原理和方法。用载流子漂移实验方法测量了ｎ型Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）材料在８０Ｋ时的双极迁移率，讨论了测量条件对双极迁移率的影响。 |
| 关 键 词： | 碲镉汞材料 双极迁移率 测试方法 小光点装置 |
Measurement of the Carrier Bipolar Mobility in n-type HgCdTe |
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| Shao Shiping, Xiao Shaoze and Yin Min.Measurement of the Carrier Bipolar Mobility in n-type HgCdTe[J].Infrared Technology,1995,17(5):15-18,14. | |
| Authors: | Shao Shiping Xiao Shaoze and Yin Min |
| Abstract: | |
| Keywords: | HgCdTe Bipolar mobility Test method Small light spot equipment |
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