| 电化学沉积多晶GaAs薄膜研究 |
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| 引用本文： | 苏红兵,陈庭金,施兆顺,涂洁磊,张跃. 电化学沉积多晶GaAs薄膜研究[J]. 半导体光电, 2001, 22(5): 365-368 |
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| 作者姓名： | 苏红兵 陈庭金 施兆顺 涂洁磊 张跃 |
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| 作者单位： | 1. 云南农业大学工程学院
2. 云南师范大学太阳能研究所 |
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| 基金项目： | 云南省应用基础研究项目;98E00EM; |
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| 摘 要： | 研究了电化学沉积GaAs薄膜的条件以及电化学沉积参数对GaAs薄膜成分的影响，并通过正交实验调节这些化学沉积参数，得到了化学计量接近1：1的GaAs薄膜以及电化学沉积GaAs薄膜的最佳参数范围，为获得实用的GaAs薄膜材料打下了基础。
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| 关 键 词： | 电化学沉积 砷化镓 薄膜 |
| 文章编号： | 1001-5868(2001)05-0365-04 |
| 修稿时间： | 2001-02-12 |
Study of Polycrystal GaAs Films by Electrochemical Deposition |
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| SU Hong bing ,CHEN Ting jin ,SHI Zhao shun ,TU Jie lei ,ZHANG Yue. Study of Polycrystal GaAs Films by Electrochemical Deposition[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2001, 22(5): 365-368 |
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| Authors: | SU Hong bing CHEN Ting jin SHI Zhao shun TU Jie lei ZHANG Yue |
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| Affiliation: | SU Hong bing 1,CHEN Ting jin 2,SHI Zhao shun 2,TU Jie lei 2,ZHANG Yue 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrochemical deposition GaAs films stoichiometric ratio solar cell |
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