| MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择 |
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| 引用本文： | 顾星,叶志镇,赵炳辉. MOCVD生长Ⅲ族氮化物镓源的选择[J]. 半导体光电, 2002, 23(2): 109-113. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.02.012 |
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| 作者姓名： | 顾星 叶志镇 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目;60046001; |
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| 摘 要： | MOCVD是生长Ⅲ族氮化物材料最成功的技术之一.镓源的选择是该技术中重要的一环.详细比较了三甲基镓和三乙基镓两种主要的镓源对生长样品在微结构、表面形态、电学性质和光学性质方面的不同影响,并对造成不同影响的因素提出了自己的见解.
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| 关 键 词： | MOCVD 镓源 Ⅲ族氮化物 GaN TMGa TEGa |
| 文章编号： | 1001-5868(2002)02-0109-05 |
| 修稿时间： | 2001-11-12 |
Selection of Gallium Growth by MOCVD |
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| GU Xing,YE Zhi-zhen,ZHAO Bing-hui. Selection of Gallium Growth by MOCVD[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2002, 23(2): 109-113. DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.02.012 |
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| Authors: | GU Xing YE Zhi-zhen ZHAO Bing-hui |
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