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| 离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性 | |
| 引用本文： | 王延峰,刘忠立.离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性[J].半导体学报,2001,22(7):881-884. |
| 作者姓名： | 王延峰 刘忠立 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室，北京10 |
| 摘 要： | 研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性，实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力，它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显下降，氮化栅介质的击穿电荷（Qbd)比常规栅介质提高了20％，栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^ 离子形成了更稳定的键所致。 |
| 关 键 词： | 氮离子注入 栅介质 二氧化硅 薄膜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)07-0881-04 |
| 修稿时间： | 2000年6月28日 |
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