离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性 |
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作者姓名: | 王延峰 刘忠立 |
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作者单位: | [1]中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室,北京100083 [2]中国科学院半导体研究所传感技术国家实验室,北京10 |
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摘 要: | 研究了通过多晶硅栅洲入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性,实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介均有显下降,氮化栅介质的击穿电荷(Qbd)比常规栅介质提高了20%,栅介质性能的可能原因是由于离子注入工艺在栅SiO2中引进的N^ 离子形成了更稳定的键所致。
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关 键 词: | 氮离子注入 栅介质 二氧化硅 薄膜 |
文章编号: | 0253-4177(2001)07-0881-04 |
修稿时间: | 2000-06-28 |
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