| 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究 |
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| 引用本文： | 陆敏,常昕,方慧智,杨志坚,杨华,黎子兰,任谦,张国义,章蓓. 对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究[J]. 半导体学报, 2004, 25(11): 1376-1380 |
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| 作者姓名： | 陆敏 常昕 方慧智 杨志坚 杨华 黎子兰 任谦 张国义 章蓓 |
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| 作者单位： | 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学医学部生物物理系电镜中心，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室 北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871，北京100083，北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871，北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871，北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871，北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871，北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871，北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871，北京100871，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京100871，北京大学物理学院凝聚态物理和材料物理研究所，北京100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 用ThomasSwan公司的MOCVD系统在蓝宝石(0001)面上生长了高质量的GaN薄膜.采用多种化学腐蚀方法,如熔融KOH,H3PO4与H2SO4混合酸和HCl气相腐蚀法,利用SEM及TEM技术对GaN薄膜中的位错进行了研究.SEM显示在GaN薄膜相同位置处,不同腐蚀法所得的腐蚀坑的形态和密度有明显差别.结果表明HCl气相腐蚀可以显示纯螺位错、纯刃位错和混合位错;H3PO4与H2SO4混合酸腐蚀可以显示纯螺位错和混合位错;而熔融KOH腐蚀仅能显示纯螺位错
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| 关 键 词： | 氮化镓 腐蚀坑密度 穿透位错 |
Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods |
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| Lu Min,Chang Xin,Fang Huizhi,Yang Zhijian,Yang Hua,Li Zilan,REN Qian,ZHANG Guoyi,Zhang Bei. Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(11): 1376-1380 |
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| Authors: | Lu Min Chang Xin Fang Huizhi Yang Zhijian Yang Hua Li Zilan REN Qian ZHANG Guoyi Zhang Bei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN EPD TD |
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