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| 离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定 | |
| 作者姓名： | 黄庆安 吕世冀 |
| 作者单位： | 东南大学微电子中心(黄庆安)，东南大学微电子中心(吕世冀) |
| 摘 要： | 本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。 |
| 关 键 词： | 离子注入 MOS器件 少子寿命 分布 |
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