| 分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究 |
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| 引用本文： | 覃钢, 李东升, 李艳辉, 杨春章, 周旭昌, 张阳, 谭英, 左大凡, 齐航. 分子束外延锗基碲镉汞薄膜原位砷掺杂研究[J]. 红外技术, 2015, (2): 105-109. |
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| 作者姓名： | 覃钢 李东升 李艳辉 杨春章 周旭昌 张阳 谭英 左大凡 齐航 |
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| 作者单位： | 昆明物理研究所,云南昆明,650223 |
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| 摘 要： | 报道了基于Ge衬底分子束外延碲镉汞原位As掺杂材料的研究结果，进行了As掺杂碲镉汞薄膜生长的温度控制研究；分析了As束流对材料晶体质量的影响，结合SIMS测试技术得到了As杂质掺杂浓度与束源炉加热温度的关系；并利用傅里叶红外光谱仪、X射线双晶衍射、EPD检测等手段对晶体质量进行了分析表征，结果显示利用 MBE 方法可以生长出晶体质量良好、缺陷密度低的碲镉汞薄膜；进一步研究了As杂质的激活退火工艺及不同退火条件对材料电学参数的影响。
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| 关 键 词： | 分子束外延 碲镉汞 原位As掺杂 退火 |
| 收稿时间： | 2014-11-05 |
Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE |
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| QIN Gang, LI Dong-sheng, LI Yan-hui, YANG Chun-zhang, ZHOU Xu-chang, ZHANG Yang, TAN Ying, ZUO Da-fan, QI Hang. Research on In-situ As-doped HgCdTe Thin Film Growth on Ge-base by MBE[J]. Infrared Technology , 2015, (2): 105-109. |
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| Authors: | QIN Gang LI Dong-sheng LI Yan-hui YANG Chun-zhang ZHOU Xu-chang ZHANG Yang TAN Ying ZUO Da-fan QI Hang |
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| Affiliation: | QIN Gang;LI Dong-sheng;LI Yan-hui;YANG Chun-zhang;ZHOU Xu-chang;ZHANG Yang;TAN Ying;ZUO Da-fan;QI Hang;Kunming Institute of Physics; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy HgCdTe in-situ As-doping annealing |
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